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RESURF LDMOS功率器件表面场分布和击穿电压的解析模型(英文)

提出了 RESURF L DMOS功率器件的表面电场分布和击穿电压的解析模型 .根据二维泊松方程的求解 ,得到了与器件参数和偏压相关的表面......

期刊

击穿电压 RESURF LDMOS 解析模型导通电阻表面电场表面场分布 RESURF原理数值分析结果优化设计电场分布

高压RESURF LDMOS开态击穿模型(英文)

建立了高压RESURF LDMOS的开态击穿模型.该模型考虑了载流子的速度饱和现象和寄生双极性晶体管的影响,获得了开态下 LDMOS 漂移区......

期刊

模型 LDMOS 安全工作区高压击穿电压漂移区 drift 双极性晶体管 RESURF LDMOS breakdown

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